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昆明信捷伺服电机销售DS5K-43P0-PTA云南信捷伺服驱动器维修MS6S-60CM30B1-20P4 DS5C-45P5-PTA DS5E-20P2-PTA MS -130ST-M06025BZ-41P5 集成电路等半导体材料的主要器件 近几年来由于国际能源危机及地球环境改善带来对新能源，可再生能源的巨大需求，光伏产业出现**的增长，半导体硅材料的生产又进入新的发展期，因此大力加速发展可再生能源.硅光伏产业及共基础材料---高纯半导体硅(单晶.多芯片)材料已成为当务之急，而硅材料的生长离不开单晶硅炉和多晶硅炉的设备支持 二、单晶硅炉的工艺流程简介、技术需求及方案的分析 2-1、单晶硅炉的工艺流程简介 单晶硅炉炉的组成组件可分成四部分 (1)炉体:包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热组件，炉壁 (2)晶棒及坩埚拉升旋转机构:包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转组件 (3)气氛压力控制:包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀 (4)控制系统:包括侦测感应器及电脑控制系统 加工工艺: 加料 熔化 缩颈生长 放肩生长 等径生长 尾部生长 (1)加料:将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定 杂质种类有硼，磷，锑， (2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度(1420℃)以上，将多晶硅原料熔化 (3)缩颈生长:当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中 由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，
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